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EGP10D
0.132
EGP10D 数据手册 (4 页)
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EGP10D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
1.00 A
电容
22.0 pF
封装
DO-41
输出电流
≤1.00 A
正向电压
950mV @1A
极性
Standard
功耗
2.5 W
热阻
50℃/W (RθJA)
反向恢复时间
50 ns
正向电流
1 A
正向电压(Max)
950mV @1A
正向电流(Max)
1 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

EGP10D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.21 mm
宽度
2.72 mm
高度
5.2 mm
工作温度
65℃ ~ 150℃

EGP10D 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.23 MByte

EGP10 数据手册

Zowie Technology(智威)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 二极管 EGP10D, Io=1A, Vrev=200V, 50ns, 2引脚 DO-41封装
Vishay Semiconductor(威世)
1A,Vishay SemiconductorVishay 超快恢复整流器,具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 二极管 EGP10G, Io=1A, Vrev=400V, 50ns, 2引脚 DO-41封装
Fairchild(飞兆/仙童)
1A 至 1.5A,Fairchild Semiconductor### 二极管和整流器,Fairchild Semiconductor无论您是进行新设计、还是采购,Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。
VISHAY(威世)
玻璃钝化超快速整流器 Glass Passivated Ultrafast Rectifier
ON Semiconductor(安森美)
EGP10K: 1.0A快速恢复整流器
ON Semiconductor(安森美)
EGP10B: 1.0A快速恢复整流器
Fairchild(飞兆/仙童)
1.0安培玻璃钝化高效整流二极管 1.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
Vishay Semiconductor(威世)
1A,Vishay SemiconductorVishay 超快恢复整流器,具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
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