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F272-BAG-P-TR
器件3D模型
13.49
F272-BAG-P-TR 数据手册 (188 页)
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F272-BAG-P-TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
144 Pin
封装
PQFP-144
RAM大小
20K x 8
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

F272-BAG-P-TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
28 mm
宽度
28 mm
高度
3.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

F272-BAG-P-TR 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
188 页 / 1.72 MByte

F272 数据手册

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VISHAY(威世)
1 类 S3N 电容器陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。### **特点** 高可靠性 低损耗 大电容,小尺寸 弯曲引线### **应用** 该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。### 认可IEC 60384-9,EIA 198### 标准IEC 60384-9,EIA 198
VISHAY(威世)
1 类 S3N 电容器陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。### **特点** 高可靠性 低损耗 大电容,小尺寸 弯曲引线### **应用** 该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。### 认可IEC 60384-9,EIA 198### 标准IEC 60384-9,EIA 198
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