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F4-50R06W1E3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

Module

描述:

INFINEON F4-50R06W1E3 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.45 V, 225 W, 600 V, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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F4-50R06W1E3 数据手册 (9 页)

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F4-50R06W1E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

15 Pin

封装

Module

针脚数

15 Position

极性

N-Channel

功耗

225 W

工作温度(Max)

150 ℃

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F4-50R06W1E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

宽度

33.8 mm

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F4-50R06W1E3 符合标准

F4-50R06W1E3 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.78 MByte

F4-50R06W1E3 其他数据使用手册

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9 页 / 0.53 MByte

F4-50R06W1E3 开发手册

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33 页 / 2.24 MByte

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