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F472K69S3NN63J0R
0.069
F472K69S3NN63J0R 数据手册 (7 页)
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F472K69S3NN63J0R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
1000 V
电容
4.7 nF
容差
±10 %
封装
Radial
引脚间距
10.00 mm
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-30 ℃

F472K69S3NN63J0R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
S3N
直径
Φ17.50mm
工作温度
-30℃ ~ 125℃
温度系数
±15 %

F472K69S3NN63J0R 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.1 MByte
VISHAY(威世)
7 页 / 0.4 MByte

F472K69S3NN63J0 数据手册

VISHAY(威世)
1 类 S3N 电容器陶瓷 1 级电容器 S3N 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路。### **特点** 高可靠性 低损耗 大电容,小尺寸 弯曲引线### **应用** 该电容器可用于需要低损耗和单位体积高电容的电子电路中:SMPS、HF 镇流器、减震器和高电压电路。### 认可IEC 60384-9,EIA 198### 标准IEC 60384-9,EIA 198
Vishay Semiconductor(威世)
HV LDF 陶瓷盘陶瓷 2 级电容器 Y5R 电介质,用于 SMPS、高频率镇流和减震器电路,具有 5mm 节距。绝缘电阻 | 10 GΩ ---|--- 介电强度 | 200% 额定电压 ### 注不适于电源抑制使用,请查看 X 和 Y 抑制电容器部分。### 高压盘式陶瓷
Vishay BC Components(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
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