FC109 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100MA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 22KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 50 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | 特点•PNP外延平面硅复合晶体管•片上偏置电阻（R1=22KΩ/Ohm，R2=22KΩ/Ohm）•复合型中包含2个晶体管 CP包装目前在使用，大大提高了安装效率。•FC109两个芯片组成，相当于2SA1342放置在一个包装。•优秀的热平衡和对能力 技术文档PDF下载 | 在线阅读