FC117 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -15V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -500MA/-0.5A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 400MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 160~560 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.56V 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications | 　PNP型硅外延平面复合晶体管 　　低频 　　通用放大器应用程序 　　PNP型硅外延平面复合晶体管,低频特性的通用放大器应用程序,复合类型2晶体管包含在当前使用的CP方案,大大提高安装效率。,FC117形成有两个芯片,相当于2 sa1753,放置在一个包中。低发射极饱和电压。,优秀的热平衡 技术文档PDF下载 | 在线阅读