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FCB11N60F
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FCB11N60F 数据手册 (8 页)
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FCB11N60F 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
11A

FCB11N60F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FCB11N60F 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.95 MByte

FCB11N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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