FCD5N60TM-WS 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCD5N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 650 V, 950 mohm, 10 V, 5 V

ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCD5N60TM, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FCD5N60: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET，Easy Drive，600 V，4.6 A，950 mΩ，DPAK

N沟道 600V 4.6A

ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCD5N60TM_WS, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装