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FCP099N65S3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.079 ohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FCP099N65S3 数据手册 (9 页)

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FCP099N65S3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.079 Ω

功耗

227 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

24 ns

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

227 W

FCP099N65S3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FCP099N65S3 符合标准

FCP099N65S3 概述

FCP099N65S3 数据手册

FCP099N65S3 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

FCP099N65S3 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

FCP099N65S3 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.1 MByte

FCP099N65S3 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

FCP099N65S3 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.3 MByte

FCP099N65 数据手册

FCP099N65S3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.079 ohm, 10 V, 4.5 V

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