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FCP190N65S3R0 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220-3

描述:

FCP190N65S3R0: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET III，Easy Drive，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FCP190N65S3R0 数据手册 (3 页)

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FCP190N65S3R0 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

功耗

144 W

上升时间

16 ns

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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FCP190N65S3R0 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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FCP190N65S3R0 符合标准

FCP190N65S3R0 概述

FCP190N65S3R0 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.7 MByte

FCP190N65S3R0 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

FCP190N65S3R0 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 1.07 MByte

FCP190N65S3R0 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.1 MByte

FCP190N65S3R0 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

FCP190N65S3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.159 ohm, 10 V, 4.5 V

FCP190N65S3R0 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FCP190N65S3R0: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET III，Easy Drive，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220

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