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FCP22N60N-F102
3.348
FCP22N60N-F102 数据手册
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FCP22N60N-F102 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
上升时间
16.7 ns
输入电容值(Ciss)
1950pF @100V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
205000 mW

FCP22N60N-F102 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

FCP22N60N-F102 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte

FCP22N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP22N60N.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V 22A TO-220
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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