￥ 0.538

FCP4N60 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP4N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FCP4N60 数据手册 (8 页)

FCP4N60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.90 A

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

540pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

查看数据手册 >

FCP4N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FCP4N60 符合标准

FCP4N60 海关信息

FCP4N60 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 1.12 MByte

FCP4N60 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 1.15 MByte

FCP4N60 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

FCP4N60 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FCP4 数据手册

FCP4N60 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP4N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

FCP4N60 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP4N60, 3.9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

FCP400N80Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V

FCP400N80Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V 新

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号