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FCP850N80Z 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP850N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.71 ohm, 10 V, 4.5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FCP850N80Z 数据手册 (9 页)

FCP850N80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.71 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1315pF @100V(Vds)

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136W (Tc)

查看数据手册 >

FCP850N80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FCP850N80Z 符合标准

FCP850N80Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.6 MByte

FCP850N80Z 产品设计参考手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.45 MByte

FCP850N80Z 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

19 页 / 1.07 MByte

FCP850N80Z 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

FCP850N80Z 开发手册

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15 页 / 1.95 MByte

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