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FCP9N60N
2.024
FCP9N60N 数据手册 (10 页)
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FCP9N60N 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
8.7 ns
输入电容值(Ciss)
930pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
88.3 W
下降时间
10.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83300 mW

FCP9N60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FCP9N60N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte

FCP9N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP9N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 600V 19A
ON Semiconductor(安森美)
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