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Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FCPF067N65S3 Datasheet 文档
FCPF067N65S3
4.017

FCPF067N65S3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.059 Ω
极性
N-Channel
功耗
46 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
44A
上升时间
52 ns
输入电容值(Ciss)
3090pF @400V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
46W (Tc)

FCPF067N65S3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCPF067N65S3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.47 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.3 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.45 MByte

FCPF067N65 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF067N65S3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V 新
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