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FD150R12RT4 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

描述:

INFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FD150R12RT4 数据手册 (10 页)

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FD150R12RT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

5 Pin

封装

额定功率

790 W

针脚数

5 Position

极性

N-Channel

功耗

790 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

9.3nF @25V

额定功率(Max)

790 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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FD150R12RT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FD150R12RT4 符合标准

FD150R12RT4 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.65 MByte

FD150R12RT4 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FD150R12RT4 其他数据使用手册

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FD150R12RT4 开发手册

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