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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > FD200R12KE3PHOSA1 Datasheet 文档
FD200R12KE3PHOSA1
161.437

FD200R12KE3PHOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
AG-62MM-1
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
14nF @25V

FD200R12KE3PHOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-40℃ ~ 125℃

FD200R12KE3PHOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.57 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FD200R12KE3 数据手册

Infineon(英飞凌)
62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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