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FDA032N08
2.438

FDA032N08 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
极性
N-CH
功耗
375 W
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
235A
上升时间
191 ns
输入电容值(Ciss)
15160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
375 W
下降时间
121 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375W (Tc)

FDA032N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDA032N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.51 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte

FDA032 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET的PowerTrench 75V , 235A , 3.2mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 235A, 3.2mΩ
ON Semiconductor(安森美)
FDA032N08: N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V,235A,3.2mΩ
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