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FDA16N50
1.6
FDA16N50 数据手册 (8 页)
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FDA16N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
16.5 A
封装
TO-3-3
漏源极电阻
380 mΩ
极性
N-Channel
功耗
205W (Tc)
输入电容
1.94 nF
栅电荷
45.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.5 A
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
1945pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
205 W
耗散功率(Max)
205W (Tc)

FDA16N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDA16N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.83 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.92 MByte

FDA16 数据手册

Panasonic(松下)
200 mm 塑料 光纤传感器, IP40
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA16N50_F109, 16.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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