Web Analytics
Datasheet 搜索 > ON Semiconductor(安森美) > FDA16N50LDTU Datasheet 文档
FDA16N50LDTU
1.236
FDA16N50LDTU 数据手册
暂未收录 FDA16N50LDTU 的数据手册
登录以发送补充文档请求

FDA16N50LDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
340BR
功耗
205 W
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
1495pF @25V(Vds)
下降时间
80 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
205000 mW

FDA16N50LDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube

FDA16N50LDTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 3.05 MByte

FDA16N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA16N50_F109, 16.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: FDA16N50 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z