￥ 1.64

FDA59N25 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDA59N25 数据手册

暂未收录 FDA59N25 的数据手册

登录以发送补充文档请求

FDA59N25 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.049 Ω

功耗

392 W

阈值电压

5 V

输入电容

3090 pF

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

480 ns

输入电容值(Ciss)

4020pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

392 W

下降时间

170 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

392000 mW

FDA59N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

16.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDA59N25 符合标准

FDA59N25 数据手册

FDA59N25 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 1.33 MByte

FDA59N25 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 1.44 MByte

FDA59 数据手册

FDA59N30 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V

FDA59N25 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 49 mohm, 10 V, 5 V

FDA59N30 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN

FDA59N25 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号