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FDB0260N1007L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-7

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDB0260N1007L 数据手册 (7 页)

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FDB0260N1007L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

TO-263-7

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

极性

N-Channel

功耗

250 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

140A

输入电容值(Ciss)

8545pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 250W (Tc)

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FDB0260N1007L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDB0260N1007L 符合标准

FDB0260N1007L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.35 MByte

FDB0260N1007L 产品设计参考手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.45 MByte

FDB0260N1007L 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

19 页 / 1.07 MByte

FDB0260N1007L 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

15 页 / 1.95 MByte

FDB0260N1007 数据手册

FDB0260N1007L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

FDB0260N1007L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V 新

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