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FDB0260N1007L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

D2PAK-263

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDB0260N1007L 数据手册 (8 页)

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FDB0260N1007L 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

D2PAK-263

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

功耗

3.8 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

6101pF @50V(Vds)

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3800 mW

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FDB0260N1007L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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FDB0260N1007L 符合标准

FDB0260N1007L 海关信息

FDB0260N1007L 概述

FDB0260N1007L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.37 MByte

FDB0260N1007L 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.11 MByte

FDB0260N1007 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

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