￥ 3.251

FDB031N08 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDB031N08 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDB031N08 数据手册 (8 页)

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FDB031N08 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

375 W

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

235A

上升时间

191 ns

输入电容值(Ciss)

15160pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

375 W

下降时间

121 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

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FDB031N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

11.33 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDB031N08 符合标准

FDB031N08 概述

FDB031N08 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.54 MByte

FDB031N08 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDB031N08 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.07 MByte

FDB031 数据手册

FDB031N08 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 235 A, 75 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3.5 V

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