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FDB088N08 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDB088N08 数据手册

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FDB088N08 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

漏源极电压(Vds)

75 V

上升时间

158 ns

输入电容值(Ciss)

4960pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

102 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160 W

FDB088N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

11.33 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

FDB088N08 符合标准

FDB088N08 概述

FDB088N08 数据手册

FDB088N08 其他数据使用手册

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