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FDB1D7N10CL7 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-263-7

描述:

FDB1D7N10CL7: 功率 MOSFET，N 沟道，Standard Gate，100 V，268 A，1.7 mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDB1D7N10CL7 数据手册

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FDB1D7N10CL7 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

TO-263-7

功耗

250 W

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

8285pF @50V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3800 mW

FDB1D7N10CL7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

FDB1D7N10CL7 符合标准

FDB1D7N10CL7 概述

FDB1D7N10CL7 数据手册

FDB1D7N10CL7 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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FDB1D7N10CL7: 功率 MOSFET，N 沟道，Standard Gate，100 V，268 A，1.7 mΩ

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