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FDB6030L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDB6030L 数据手册 (5 页)

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FDB6030L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电流

52.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

13.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

52 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

48.0 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1250pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

52 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

52W (Tc)

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FDB6030L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDB6030L 符合标准

FDB6030L 海关信息

FDB6030L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.09 MByte

FDB6030L 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.2 MByte

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