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FDB6670AL
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FDB6670AL 数据手册 (5 页)
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FDB6670AL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
封装
TO-263-3
漏源极电阻
5.20 mΩ
极性
N-Channel
功耗
68 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
2440pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
68 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
68W (Tc)

FDB6670AL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
4.83 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

FDB6670AL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte

FDB6670 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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