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FDB6670AL_Q
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FDB6670AL_Q 数据手册
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FDB6670AL_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
68 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
13 ns
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

FDB6670AL_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm

FDB6670AL_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte

FDB6670 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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