￥ 0.007

FDB7030BL 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDB7030BL 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDB7030BL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0068 Ω

功耗

60 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1760pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

60 W

查看数据手册 >

FDB7030BL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

查看数据手册 >

FDB7030BL 符合标准

FDB7030BL 概述

FDB7030BL 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.1 MByte

FDB7030BL 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 0.84 MByte

FDB7030BL 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.07 MByte

FDB7030 数据手册

FDB7030BL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB7030BL 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A TO-263AB, 整卷

FDB7030L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FDB7030BLS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDB7030BLS N沟道场效应管 30v 56A TO263AB 代码 FDB7030BL

FDB7030BL 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDB7030BL 系列 30 V 9 mOhms N 沟道逻辑电平 PowerTrench Mosfet TO-263AB

FDB7030L 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

FDB7030L_L86Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDB7030L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDB7030L_L86Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDB7030BL_Q 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDB7030BLS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号