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FDB86102LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDB86102LZ 数据手册 (2 页)

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FDB86102LZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

8.3A

上升时间

2.1 ns

输入电容值(Ciss)

1275pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

2.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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FDB86102LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

11.33 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDB86102LZ 符合标准

FDB86102LZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.07 MByte

FDB86102LZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDB86102LZ 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

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