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FDC6304P
0.22
FDC6304P 数据手册 (5 页)
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FDC6304P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-25.0 V
额定电流
-460 mA
封装
TSOT-23-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.87 Ω
极性
P-Channel, Dual P-Channel
功耗
900 mW
阈值电压
860 mV
输入电容
62.0 pF
栅电荷
1.10 nC
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25 V
连续漏极电流(Ids)
-460 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
62pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
900 mW

FDC6304P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC6304P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDC6304 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6304P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV
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