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FDC6318P_Q
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FDC6318P_Q 数据手册 (6 页)
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FDC6318P_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SSOT-6
通道数
2 Channel
漏源极电阻
90 mΩ
极性
P-CH
功耗
960 mW
漏源极电压(Vds)
12 V
漏源击穿电压
12 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
上升时间
14 ns
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

FDC6318P_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm

FDC6318P_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.15 MByte

FDC6318 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6318P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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