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FDC653N_F095
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FDC653N_F095 数据手册 (7 页)
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FDC653N_F095 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SuperSOT
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5A
上升时间
12 ns
下降时间
6 ns

FDC653N_F095 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDC653N_F095 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.17 MByte

FDC653 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC653N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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