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FDC8878 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FDC8878 系列 30 V 8 A 16 mOhm 表面贴装 N-沟道功率 Trench Mosfet - SSOT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDC8878 数据手册 (8 页)

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FDC8878 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.012 Ω

功耗

1.6 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

782pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6 W

FDC8878 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDC8878 符合标准

FDC8878 概述

FDC8878 数据手册

FDC8878 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.39 MByte

FDC8878 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.59 MByte

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