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FDD306P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD306P 数据手册 (7 页)

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FDD306P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.09 Ω

功耗

52 W

输入电容

1290 pF

漏源极电压(Vds)

12 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

1290pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

1.6 W

下降时间

41 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

52 W

FDD306P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

FDD306P 符合标准

FDD306P 概述

FDD306P 数据手册

FDD306P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.73 MByte

FDD306P 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.49 MByte

FDD306P 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

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