￥ 0.421

FDD3510H 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-5

描述:

FDD3510H 系列 80 V 80 mOhm 双 N/P 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD3510H 数据手册 (11 页)

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FDD3510H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

TO-252-5

通道数

2 Channel

漏源极电阻

80 mΩ

极性

N-CH

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

4.3A/2.8A

输入电容值(Ciss)

800pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.3 W

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FDD3510H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDD3510H 符合标准

FDD3510H 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.48 MByte

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