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FDD3682-F085
0.608
FDD3682-F085 数据手册 (11 页)
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FDD3682-F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252
上升时间
46 ns
输入电容值(Ciss)
1250pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
95 W

FDD3682-F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm

FDD3682-F085 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.28 MByte

FDD3682 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FDD3682 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3682_F085, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
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