￥ 0.29

FDD6680AS 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6680AS, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD6680AS 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDD6680AS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0105 Ω

功耗

60 mW

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60 W

FDD6680AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDD6680AS 符合标准

FDD6680AS 概述

FDD6680AS 数据手册

FDD6680AS 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.42 MByte

FDD6680AS 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

FDD6680 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench ？ MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench? MOSFET

FDD6680 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDD6680AS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDD6680A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6680A 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 56A

FDD6680AS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6680AS, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

FDD6680S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

FDD6680AS_NL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET