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FDD6N20TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD6N20TM 数据手册 (14 页)

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FDD6N20TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

40 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

5.6 ns

输入电容值(Ciss)

230pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

12.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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FDD6N20TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDD6N20TM 符合标准

FDD6N20TM 海关信息

FDD6N20TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

14 页 / 0.28 MByte

FDD6N20TM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDD6N20TM 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

FDD6N20TM 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

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