FDD8586

￥ 0.113

FDD8586 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDD8586 数据手册 (7 页)

FDD8586 数据手册 (7 页)

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FDD8586 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

35.0 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

4.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

77 W

输入电容

2.48 nF

栅电荷

48.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

35.0 A

上升时间

11.0 ns

输入电容值(Ciss)

2480pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

77 W

耗散功率(Max)

77W (Tc)

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FDD8586 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDD8586 符合标准

FDD8586 海关信息

FDD8586 数据手册

FDD8586 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.4 MByte

FDD8586 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.27 MByte

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