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FDD86113LZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N-沟道 100 V 104 mOhm 屏蔽栅极 Power Trench Mosfet - DPAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD86113LZ 数据手册 (8 页)

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FDD86113LZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.087 Ω

功耗

29 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

1.3 ns

输入电容值(Ciss)

213pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

1.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

29 W

FDD86113LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

FDD86113LZ 符合标准

FDD86113LZ 概述

FDD86113LZ 数据手册

FDD86113LZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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FDD86113 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

N-沟道 100 V 104 mOhm 屏蔽栅极 Power Trench Mosfet - DPAK-3

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