￥ 0.819

FDD86369 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-3

描述:

FDD86369: N 沟道，PowerTrench MOSFET，80V，90A，7.9mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD86369 数据手册

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FDD86369 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

功耗

150000 mW

漏源极电压(Vds)

80 V

上升时间

34 ns

输入电容值(Ciss)

2530pF @40V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150000 mW

FDD86369 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDD86369 符合标准

FDD86369 数据手册

FDD86369 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 1.03 MByte

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