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FDFMA2P029Z-F106
0.3
FDFMA2P029Z-F106 数据手册 (8 页)
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FDFMA2P029Z-F106 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
MicroFET-6

FDFMA2P029Z-F106 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDFMA2P029Z-F106 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.47 MByte

FDFMA2P029 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
FDFMA2P029Z: 集成式 P 沟道,Power Trench? MOSFET 和肖特基二极管,-20V,3.1A,95mΩ
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