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FDFMA2P853T 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

MicroFET-6

描述:

集成的P沟道的PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDFMA2P853T 数据手册 (8 页)

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FDFMA2P853T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

MicroFET-6

极性

P-CH

功耗

1.4 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

435pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.4W (Ta)

FDFMA2P853T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDFMA2P853T 符合标准

FDFMA2P853T 数据手册

FDFMA2P853T 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.34 MByte

FDFMA2P853 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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