器件3D模型

￥ 0.086

FDFMA2P859T 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20 V， -3.0 A， 120米？ Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDFMA2P859T 数据手册 (8 页)

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FDFMA2P859T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

极性

P-Channel

功耗

1.4W (Ta)

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

-3.00 A

输入电容值(Ciss)

435pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

耗散功率(Max)

1.4W (Ta)

FDFMA2P859T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDFMA2P859T 符合标准

FDFMA2P859T 数据手册

FDFMA2P859T 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.28 MByte

FDFMA2P859 数据手册

FDFMA2P859T 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20 V， -3.0 A， 120米？ Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m

FDFMA2P859T 数据手册

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