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FDFMA3N109
0.293
FDFMA3N109 数据手册
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FDFMA3N109 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
QFN-6
功耗
1.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
190pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
650 mW
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW

FDFMA3N109 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDFMA3N109 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.5 MByte

FDFMA3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFMA3N109  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 1 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
集成的P沟道MOSFET PowerTrench®和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
ON Semiconductor(安森美)
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