器件3D模型

￥ 0.842

FDFS2P106A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOIC-8

描述:

FDFS2P106A: 集成式 P 沟道，Power Trench MOSFET 和肖特基二极管，-60V，-3.0 A，110mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDFS2P106A 数据手册 (6 页)

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FDFS2P106A 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

714pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

8.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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FDFS2P106A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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FDFS2P106A 符合标准

FDFS2P106A 概述

FDFS2P106A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

FDFS2P106A 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.2 MByte

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FDFS2P106A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDFS2P106A: 集成式 P 沟道，Power Trench MOSFET 和肖特基二极管，-60V，-3.0 A，110mΩ

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