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FDFS2P753AZ
器件3D模型
0.168
FDFS2P753AZ 数据手册 (7 页)
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FDFS2P753AZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
115 mΩ
极性
P-CH
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
455pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta)

FDFS2P753AZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDFS2P753AZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.26 MByte

FDFS2P753 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFS2P753Z  晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 0.069 ohm, -10 V, -2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFS2P753Z, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
集成的P沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管-30V , -3A ,115Mヘ Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ
ON Semiconductor(安森美)
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