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FDG315N
器件3D模型
0.217
FDG315N 数据手册 (21 页)
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FDG315N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
功耗
0.75 W
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
220pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
480 mW
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750 mW

FDG315N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG315N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
21 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.27 MByte

FDG315 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG315N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG315N, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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